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RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • NUP5120X6T2G.jpg
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Teilenummer RN2969FE(TE85L,F)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 8404 pcs
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Teilenummer RN2969FE(TE85L,F)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 8404 pcs
Datenblatt RN2967FE-69FE
Produktfoto RN2969FE(TE85L,F).jpg
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse ES6
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Leistung - max 100mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen RN2969FE(TE85LF)TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Components-Mart.com ist ein zuverlässiger Stocking Distributor von elektronischen Komponenten. Wir spezialisieren uns auf alle elektronischen Komponenten der Toshiba Semiconductor and Storage-Serie. Wir haben 8404 Stücke von Toshiba Semiconductor and Storage RN2969FE(TE85L,F) auf Lager verfügbar jetzt. Fordern Sie bei Components-Mart.com ein Angebot von Distributoren für Elektronikkomponenten an, unser Verkaufsteam wird Sie innerhalb von 24 Stunden kontaktieren.
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