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PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

  • BT149G,126.jpg
  • TISP4082F3LMR-S.jpg
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Teilenummer PDTB123TS,126
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 8178 pcs
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Teilenummer PDTB123TS,126
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 8178 pcs
Datenblatt PDTB123T Series
Produktfoto PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3
Serie -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA
Basisteilenummer PDTB123
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